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1657 (JZ-SDY4型)
详细说明
JZ-SDY4型四探针测试仪
JZ-SDY4型四探针测试仪是根据单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准设计的半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)测试专用仪器.
仪器以大规模集成电路为核心部件,采用平面轻触式开关控制,及各种工作状态LED指示.应用微计算机技术，利用HQ-710E型测量数据处理器，使得测量读数更加直观、快速，并能实现晶片厚度自行修正，打印出全部预置和测量、计算数据。整套仪器体积小、功耗低、测量精度高、测试速度快、稳定性好、易操作。
JZ-SDY4四探针测试仪 本仪器可满足半导体材料、器件的研究生产单位对材料(棒材、片材)电阻率及扩散层、离子注入层、异型外延层和导电薄膜方块电阻测量的需要。
技术指标
1 测量范围: 电阻率:0.001-200Ω.cm(可扩展);
方块电阻:0.01-2000Ω/口(可扩展);
2 可测晶片直径():100mm(配J-2B型手动测试台)
200mm(配J-51型手动测试台)
3 恒流源:电流量程分为0.1、1、10、100(mA)四档,各档电流连续可调.误差<±0.3%
4 数字电压表:
量程:0-199.99mV; 分辨率:10μV
显示:四位半红色发光管数字显示;极性、小数点、超量程自动显示。
输入阻抗>1000MΩ; 精度:±0.1%.
5 电阻测量误差(按JJG508-87进行):0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字.
6 四探针探头:
间距:1±0.01mm;针间绝缘电阻≥1000MΩ;机械游移率:≤0.3%
探针压力:TZT-9A/9B: 12-16牛顿(总力) TZT-9C/9D 5-8 牛顿(总力)
7 整机不确定度:(用硅标样片测试)≤5% (0.01-180Ω.cm)
8 外形尺寸:电气主机:360mm×320mm×100mm；数据处理器：300mm×210mm×105mm
9 数据处理器功能:
A 键盘控制测量取数,自动进行电流换向,并进行正反向电流下的电阻率(或方块电阻)测量,显示出平均值.测薄片时,可自动进行厚度修正;
B 键盘控制数据处理,运算电阻率平均值和电阻率值百分变化及平均百分变化;
C 键盘控制打印全部测量数据.测量条件、电阻率值、小电阻率值、电阻率百分变化及平均百分变化。
10 仪器重量：电气主机：约4kg；测试台：约10kg，数据处理器：约2.5kg
11 测试环境：温度23±2℃；相对湿度≤65％；无高频干扰；无强光照射
