BW-4022C半导体元器件参数 [晶振/光耦/压敏/二极管/锂亚电池]测量仪器

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品　　牌：博微

产品型号：BW-4022C

制造厂商：陕西博微电通科技有限责任公司

适用范围：高教职教

所在地区：

详细说明

　　BW-4022C半导体综合测试系

　　BW-4022C半导体综合测试系统可同时针对：

　　【光耦】Input:Vf/It/Ct；Output:Iceo/BVceoBVeco;TransferCharacteristics:If/CTR&Vice(sat)/Riso/Cf/Fc/Tr/Tf.

　　适用于〖三极管管型光耦/可控硅光耦/继电器光耦〗进行测试。

　　【二极管】

　　--Kelvin /Type_ident /Pin_test /Vrrm/Irrm/V/△Vf/V_Vrrm/I_Irrm/△Vrrm；

　　〖Diode /稳压Diode/ZD/SBC/TVS/整流桥堆〗进行测试。

　　【压敏电阻】

　　〖Kelvin /Vrrm /Vdrm /Irrm /Idrm /△Vr〗进行测试。

　　【锂亚电池】

　　〖Kelvin/电池空载电压（Vbt）/负载电压(Vbt_load ) /测试电流（0-10A 恒流）/负载电压变化值（▲Vbt_load）/电池内阻(Vbt Res) 等进行测试。

　　【晶振】

　　〖震荡频率(Freq_osc )/谐振电阻（Ri）/频率精度(Freq_ppm)/测试频率范围（10kHz~10MHz）等测试。

　　【其他测试功能可定制拓展】

　　BW-4022C半导体综合测试系统是针对于半导体器件开发专用测试的系统，经我公司产品升级与开发，目前亦可以对二极管、光电耦合器、压敏电阻、锂亚电池、晶振5种器件进行参数测试，性能、精度、测试范围均满足客户测试需求，可用于客户端来料检验、研发分析、产品选型等重要检测设备之一。

　　BW-4022C 半导体综合测试系统采用大规模 32 位 ARM&MCU 设计， PC 中文操作界面，程控软件基于 Lab VIEW 平台，填充调用式菜单操作界面，测试界面简洁灵活、人机界面友好。配合开尔文综合集成测试插座，根据不同器件更换测试座配合，系统可适配设置完成对二极管、光电耦合器、压敏电阻、锂亚电池、晶振5种元件的静态参数测试。

　　该测试系统主要由测试主机和程控电脑及外部测试夹具三部分组成，并接受客户端MES系统进行测试指令：方案选取/开始/暂停/停止/数据上传等操作执行，并可将测试数据上传至MES系统由客户端处理。

　　一、设备规格与环境要求

　　物理规格

　　主机尺寸：深 660*宽 430*高 210(mm) 台式

　　主机重量：＜25kg

　　产品色系：白色系

　　工况环境

　　主机功耗：＜300W

　　海拔高度：海拔不超过 1500m；

　　环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）；

　　相对湿度： 20%RH～75%RH (无凝露，湿球温度计温度 45℃以下)；

　　大气压力：86Kpa～106Kpa；

　　防护条件：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等；

　　供电要求

　　电源配置：AC220V±10%、50Hz±1Hz；

　　工作时间：连续；

　　二、测试种类与技术指标

　　1、光耦测试：

　　输入（Input）相关参数

　　· 正向电压（Forward Voltage）：

　　· 符号：Vf

　　· 最小值：无

　　· 典型值：1.2 V

　　· MAX值：1.4 V

　　· 单位：V

　　· 测试条件：If=20mA

　　· 反向电流（Reverse Current）：

　　· 符号：Ir

　　· 最小值：无

　　· 典型值：无

　　· MAX值：10 μA

　　· 单位：μA

　　· 测试条件：Vr=4V

　　输出（Output）相关参数

　　· 集电极暗电流（Collector Dark Current）：

　　· 符号：Iceo

　　· 最小值：无

　　· 典型值：无

　　· MAX值：100 nA

　　· 单位：nA

　　· 测试条件：Vce-20V,If=0

　　· 集电极 - 发射极击穿电压（Collector-Emitter Breakdown Voltage）：

　　· 符号：BVceo

　　· 最小值：80 V

　　· 典型值：无

　　· MAX值：无

　　· 单位：V

　　· 测试条件：Ic-0.1mA,If=0

　　· 发射极 - 集电极击穿电压（Emitter-Collector Breakdown Voltage）：

　　· 符号：BVeco

　　· 最小值：6 V

　　· 典型值：无

　　· MAX值：无

　　· 单位：V

　　· 测试条件：Ie-10μA,,If=0

　　· 集电极电流（Collector Current）：

　　· 符号：Ic

　　· 最小值：2.5 mA

　　· 典型值：无

　　· MAX值：30 mA

　　· 单位：mA

　　· 测试条件：If=5mA,Vce-5V

　　· 电流传输比（Current Transfer Ratio）：

　　· 符号：CTR

　　· 最小值：50 %

　　· 典型值：无

　　· MAX值：600 %

　　· 单位：%

　　· 测试条件：If=5mA,Vce-5V

　　传输特性（TRANSFER CHARACTERISTICS）相关参数

　　· 集电极 - 发射极饱和电压（Collector-Emitter Saturation Voltage）：

　　· 符号：Vce

　　· 最小值：无

　　· 典型值：0.1 V

　　· MAX值：0.2 V

　　· 单位：V

　　· 测试条件：If=20mA,Ic-1mA

　　· 隔离电阻（Isolation Resistance）：

　　· 符号：Riso

　　· 最小值： Ω

　　· 典型值： Ω

　　· MAX值：无

　　· 单位：Ω

　　· 测试条件：DC500V, 40 - 60% R.H.

　　（以上参数基于晶体管LTV-816-Cu series特性参数）

　　· 三极管管型光耦

测试参数	符号	量程	测试范围	测试条件	测量精度
输入正向导通压降	Vf1	0-10V	+-10V	0-4A	1%+FullRange0.1%+-2mV
反向击穿电压（耐压）	Bvceo1 Bveco1	1	+-1V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-1mV
2	+-10V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-2mV
3	+-100V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-20mV
4	+-1000V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-200mV
5	+-2000V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-2V
反向漏电流	Iceo1 Ir1	1	+-100nA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-7nA
2	+-1uA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-10nA
3	+-10uA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-10nA
4	+-100uA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-30nA
5	+-1mA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-300nA
6	+-10mA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-3uA
7	+-100mA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-30uA
输出导通压降	Vce(sat)1	0-10V	+-10V		1%+FullRange0.1%+-2mV
输入输出电流传输比		2	600		1%+FullRange0.5%+-5
3	6000		1%+FullRange0.5%+-10
4	60000		1%+FullRange0.5%+-20

　　· 可控硅光耦

测试参数	符号	量程	测试范围	测试条件	测量精度
输入正向导通压降	Vf1	0-10V	+-10V	0-4A	1%+FullRange0.1%+-2mV
反向击穿电压（耐压）输入触发电流	Vdrm vrrm ift	1	+-1V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-1mV
2	+-10V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-2mV
3	+-100V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-20mV
4	+-1000V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-200mV
5	+-2000V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-2V
反向漏电流	irrm idrm ir1	1	+-100nA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-7nA
2	+-1uA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-10nA
3	+-10uA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-10nA
4	+-100uA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-30nA
5	+-1mA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-300nA
6	+-10mA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-3uA
7	+-100mA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-30uA
					1%+FullRange0.1%+-2mV
输入LED正向压降输出导通压降	Vf1 vtm	0-10V	+-10V		1%+FullRange0.5%+-5
0-10V	+-10V		1%+FullRange0.5%+-10
0-400ma			1%+FullRange0.5%+-20
	vih
	ih
	IL
	C_vtm

　　· 继电器光耦

测试参数	符号	量程	测试范围	测试条件	测量精度
输入正向导通压降	Vf1	0-10V	+-10V	0-4A	1%+FullRange0.1%+-2mV
反向击穿电压（耐压）	VL1 VL2	1	+-1V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-1mV
2	+-10V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-2mV
3	+-100V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-20mV
4	+-1000V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-200mV
5	+-2000V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-2V
反向漏电流	Ir1 Ir2	1	+-100nA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-7nA
2	+-1uA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-10nA
3	+-10uA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-10nA
4	+-100uA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-30nA
5	+-1mA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-300nA
6	+-10mA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-3uA
7	+-100mA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-30uA
输出导通内阻	ROn1 ROn2	0-10V	+-10V	0-40A	1%+FullRange0.1%+-2mV
输入输出电流传输比		2	600		1%+FullRange0.5%+-5
3	6000		1%+FullRange0.5%+-10
4	60000		1%+FullRange0.5%+-20

　　2、二极管类测试

　　· 二极管类：二极管

　　· Diode

　　· Kelvin ，Vrrm ，Irrm ，Vf ，△Vf ，△Vrrm ，Tr（选配）；

　　二极管类：稳压二极管

　　· ZD（Zener Diode）

　　· Kelvin ，Vz ，lr ，Vf ，△Vf ，△Vz ；

　　二极管类：稳压二极管

　　· ZD（Zener Diode）

　　· Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz；

　　二极管类：三端肖特基二极管 SBD（SchottkyBarrierDiode）

　　· Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm；

　　二极管类：瞬态二极管

　　· TVS

　　· Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm ；

　　二极管类：整流桥堆

　　· Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm；

　　二极管类：三相整流桥堆

　　· Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm；

测试参数	符号	量程	测试范围	测试条件	测量精度
正向导通压降	VF1 VF2 VF3 VF4 VF5 VF6	0-10V	+-10V	0-40A（选配） 0-100A(标配) 0-200A（选配） 0-300A（选配）	0.5%+FullRange0.1%+-2mV
反向击穿电压（耐压）	Vrrm1 Vrrrm2 Vrrrm3 Vrrm4 Vrrm5 Vrrm6	1	+-1V	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-1mV
2	+-10V	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-2mV
3	+-100V	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-20mV
4	+-1000V	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-200mV
5	+-2000V	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-2V
反向漏电流	Irrm1 Irrm2 Irrm3 Irrm4 Irrm5 Irrm6	1	+-100nA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-5nA
2	+-1uA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-10nA
3	+-10uA	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-10nA
4	+-100uA	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-30nA
5	+-1mA	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-300nA
6	+-10mA	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-3uA
7	+-100mA	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-30uA

　　3、压敏电阻测试

　　· Kelvin 、Vrrm 、 Vdrm 、Irrm 、Idrm 、 △Vr ;（参数配置精度与二极管一致）

测试参数	符号	量程	测试范围	测试条件	测量精度
正向导通压降	VF1 VF2 VF3 VF4 VF5 VF6	0-10V	+-10V	0-40A（选配） 0-100A(标配) 0-200A（选配） 0-300A（选配）	0.5%+FullRange0.1%+-2mV
压敏电压（1mA）	Vrrm1 Vrrrm2 Vrrrm3 Vrrm4 Vrrm5 Vrrm6	1	+-1V	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-1mV
2	+-10V	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-2mV
3	+-100V	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-20mV
4	+-1000V	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-200mV
5	+-2000V	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-2V
反向漏电流	Irrm1 Irrm2 Irrm3 Irrm4 Irrm5 Irrm6	1	+-100nA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-5nA
2	+-1uA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-10nA
3	+-10uA	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-10nA
4	+-100uA	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-30nA
5	+-1mA	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-300nA
6	+-10mA	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-3uA
7	+-100mA	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-30uA

　　4、锂亚电池测试

　　· Kelvin(0~150mV)

　　· 电池空载电压（Vbt） 0-100V +-0.2%

　　· 负载电压(Vbt_load ) 0-100V +-0.5% 测试电流（0-10A 恒流）

　　· 负载电压变化值（▲Vbt_load）0-10v +-5% 测试电流（0-10A 恒流）

　　· 电池内阻(Vbt Res) 0-10v +-5% 测试电流（0-10A 脉冲）

　　5、晶振测试

　　· 震荡频率(Freq_osc )

　　· 谐振电阻（Ri）

　　· 频率精度(Freq_ppm)

　　· 测试频率范围（10kHz~10MHz）

测试参数	符号	量程	测试范围	测试条件	测量精度
震荡频率	Fosc	10kHz~100kHz 100kHz~1MHz 1MHz~5MHz 5MHz~10MHz	10kHz~10MHz		0.1Hz
谐振电阻	Rz	0~100K			±10%
频率精度	ppm		0-1000		0.01%

　　三、参数配置与性能指标

　　1. 电流/电压源 VIS自带VI测量单元

　　1）加压（FV）

量程	分辨率	精度
±40V	19.5mV	± 1%设定值+FullRange0.1%± 19.5mV
±20V	10mV	±1% 设定值+FullRange0.1%±10mV
±10V	5mV	±1% 设定值+FullRange0.1%±5mV
±5V	2mV	±1% 设定值+FullRange0.1%±2mV
±2V	1mV	±1% 设定值+FullRange0.1%±2mV

　　2)加流(FI)：

量程	分辨率	精度
±100A	195mA	±2% 设定值+FullRange0.1%±100mA
±40A	19.5mA	±2% 设定值+FullRange0.1%±30mA
±4A	1.95mA	±1% 设定值+FullRange0.1%±2mA
±400mA	119.5uA	±1% 设定值+FullRange0.1%±200uA
±40mA	11.95uA	±1% 设定值+FullRange0.1%±20uA
±4mA	195nA	±1% 设定值+FullRange0.1%±200nA
±400uA	19.5nA	±1% 设定值+FullRange0.1%±20nA
±40uA	1.95nA	±2% 设定值+FullRange0.1%±2nA

　　说明：电流大于1.5A自动转为脉冲方式输出，脉宽范围：300us-1000us可调

　　3). 电流测量(MI)

量程	分辨率	精度
±100A	12.2mA	±5% 读数值+FullRange0.2%±100mA
±40A	1.22mA	±1% 读数值+FullRange0.1%±20mA
±4A	122uA	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±2mA
±400mA	12.2uA	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±200uA
±40mA	1.22uA	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±20uA
±4mA	122nA	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±2uA
±400uA	12.2nA	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±200nA
±40uA	1.22nA	±1% 读数值+FullRange0.1%±20nA

　　4). 电压测量(MV)

量程	分辨率	精度
±40V	1.22mV	±1% 读数值+FullRange0.1%±20mV
±20V	122uV	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±2mV
±10V	12.2uV	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±200uV
±5V	1.22uV	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±20uV

　　2. 数据采集部分 VM （16位ADC，100K/S采样速率）

　　1). 电压测量(MV)

量程	分辨率	精度
±2000V	1.22mV	±1% 读数值+FullRange0.1%±20mV
±100V	122uV	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±2mV
±10V	12.2uV	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±200uV
±1V	1.22uV	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±20uV

　　2). 漏电流测量(MI)

量程	分辨率	精度
±100mA	30uA	±1% 读数值+FullRange0.1%±30uA
±10mA	3uA	±1% 读数值+FullRange0.1%±3uA
±1mA	300nA	±1% 读数值+FullRange0.1%±300nA
±100uA	30nA	±1% 读数值+FullRange0.1%±30nA
±10uA	3nA	±1% 读数值+FullRange0.1%±10nA
±1uA	300pA	±1% 读数值+FullRange0.1%±10nA
±100nA	30pA	±1% 读数值+FullRange0.1%±5nA

　　3. 高压源 HVS(基本)16位DAC

　　1).加压(FV)

量程	分辨率	精度
2000V/10mA	30.5mV	±0.5% 设定值+FullRange0.1%±500mV
200V/10mA	30.5mV	±0.5% 设定值+FullRange0.1%±500mV
40V/50mA	30.5mV	±0.5% 设定值+FullRange0.1%±500mV

　　2).加流(FI)：

量程	分辨率	精度
10mA	4.88uA	±2% 设定值+FullRange0.1%±10uA
2mA	488nA	±1% 设定值+FullRange0.1%±2uA
200uA	48.8nA	±1% 设定值+FullRange0.1%±200nA
20uA	4.88nA	±1% 设定值+FullRange0.1%±20nA
2uA	488pA	±2% 设定值+FullRange0.1%±10nA