新一代高性能激光浮区法单晶炉-LFZ
| Quantum Design Japan公司推出的高温光学浮区法单晶炉，采用镀金双面镜、高反射曲面设计，高温度可达2100℃-2200℃，系统采用冷却节能设计（不需要额外冷却系统），稳定的电源输出保证了灯丝的恒定加热功率...... 应用领域 可广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备，尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作。 |
激光浮区法单晶生长系统可广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备，尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作，跟传统的激光浮区法单晶生长系统相比，Quantum Design公司推出的新一代激光浮区法单晶炉系统具有以下技术优势：
● 采用全新五束激光设计，确保熔区能量分布更加均匀
● 更加科学的激光光斑优化方案，有助于降低晶体生长过程中的热应力
● 用了特的实时温度集成控制系统
RIKEN（CEMS）设计的五束激光发生器原型机实物
新一代激光浮区法单晶炉系统主要技术参数：
| 加热控制 | 加热类型 | 5束激光 |
| 激光功率 | 2KW、1.5KW两种规格可选 | |
| 熔区温度 | 2600℃ ~ 3000℃* | |
| 晶体生长控制 | 晶体生长大设计长度 | 150mm* |
| 晶体生长大设计直径 | 8mm* | |
| 晶体生长大速度/转速 | 300mm/hr; 100rpm | |
| 样品腔可施加大压力 | 10bar | |
| 样品腔气氛 | 多种气路（O2/Ar/混合气等）可供选配 | |
| 晶体生长监控 | 高清摄像头 | |
| 晶体生长控制 | PC控制 |
*具体取决于材料及实验条件
应用案例
采用新一代激光浮区法单晶炉系统生长出的部分单晶体应用案例：
Ruby | Dy2Ti2O7 | BaTiO3 |
Sr2RuO4 | SmB6 |
Ba2Co2Fe12O22 | Y3Fe5O12 |
* 以上单晶图片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供
用户单位
东京大学
日本国立材料研究所
