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DInGaAs系列铟镓砷探测器

DInGaAs系列铟镓砷探测器
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DInGaAs
北京卓立汉光仪器有限公司
高教
北京
详细说明
DInGaAs系列铟镓砷探测器

■ 常温型铟镓砷探测器(InGaAs)
———常温型近红外探测器,波长范围:0.8-1.7μm
三种常温型铟镓砷探测器DInGaAs1600/ DInGaAs1650/ DInGaAs1700具有相同的外观设计,其中:
◆ DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs探测元件(光谱响应度曲线参考图1)
◆ DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs探测元件(光谱响应度曲线参考图2)
◆ DInGaAs1700型内装进口大面积InGaAs探测元件(光谱响应度曲线参考图3)
DInGaAs系列铟镓砷探测器

型号列表及主要技术指标:

测试条件

DInGaAs1600

测试条件

DInGaAs1650

测试条件

DInGaAs1700

小值

典型值

小值

典型值

小值

典型值

光敏面直径(mm)

 

1.5

 

5

 

5

光谱响应

 

900-1600

 

800-1650

 

800-1700

范围(nm)

响应度Re(A/W)

 

 

 

 

 

 

 

 

@850nm

0.1

0.2

 

VR=0V @1300nm

0.8

0.85

-

VR=10mV @1310nm

-

0.75

-

@1300nm

0.8

0.9

 

VR=0V

0.85

0.9

-

VR=10mV @1550nm

-

0.8

-

峰值@1550nm

 

0.95

 

@1550nm

暗电流Io(nA)

VR=0V

 

0.1

1

 

 

10

 

VR=0V

 

5

10

NEP
(pW Hz-1/2)

 

 

 

 

 

 

 

 

@1550nm

0.28

 

 

信号输出
模式

 

电流

 

电流

 

电流

输出信号
极性

 

正(P

 

正(P

 

正(P

■ TE制冷型铟镓砷探测器(InGaAs)
——TE制冷型近红外探测器,波长范围:0.8-2.6μm
TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计,其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600,均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件,光谱响应曲线参考图如下:

DInGaAs系列铟镓砷探测器

型号列表及主要技术指标:

型号/参数

DInGaAs1700-TE

DInGaAs1900-TE

DInGaAs2200-TE

DInGaAs2400-TE

DInGaAs2600-TE

光敏面直径(mm)

3

3

3

3

3

波长范围(nm)

800-1700

800-1900

800-2200

800-2400

800-2600

峰值响应度(A/W)

0.9

1

1.1

1.15

1.2

D*(典型值)

8.4×1013

9.1×1012

1.9×1012

9.6×1011

4.9×1011

NEP(典型值)

3.2×10-15

2.9×10-14

1.4×10-13

2.8×10-13

5.5×10-13

温控器型号

ZTC

ZTC

ZTC

ZTC

ZTC

探测器温度()

-40

-40

-40

-40

-40

温度稳定度()

±0.5

±0.5

±0.5

±0.5

±0.5

环境温度()

+10~+40

+10~+40

+10~+40

+10~+40

+10~+40

信号输出模式

电流

电流

电流

电流

电流

输出信号极性

正(P

正(P

正(P

正(P

正(P

备注

制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC

推荐使用前置放大器型号:ZPA-7

铟镓砷探测器使用建议:
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器,在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前,建议采用I-V跨导放大器ZPA-7(Page85)做为前级放大并转换为电压信号;标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号,但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度;
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS103数据采集系统(Page95)使用时,建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度;
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统(Page95)使用时,由于DCS300PA双通道已集成信号放大器,故可不再需要另行选配前置放大器;
● 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测,在制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC)进行降温控制;

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