台式三维原子层沉积系统ALD
原子层沉积(Atomic layer deposition, ALD)是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器,化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的一种方法,是一种可以将物质以单原子膜形式逐层的镀在衬底表面的方法。因此,它是一种真正的“纳米”技术,以控制方式实现纳米的超薄薄膜沉积。由于ALD利用的是饱和化学吸附的特性,因此可以确保对大面积、多空、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形的均匀沉积。
美国ARRADIANCE公司的GEMStarXT系列台式ALD系统,在小巧的机身(78 x56 x28 cm)中集成了原子层沉积所需的所有功能,可多容纳9片8英寸基片同时沉积。GEMStarXT全系配备热壁,结合前驱体瓶加热,管路加热,横向喷头等设计, 使温度均匀性高达99.9%,气流对温度影响减少到0.03%以下。高温度稳定度的设计不仅实现在8英寸基体上膜厚的不均匀性小于1%,而且更适合对超高长径比的孔径结构等3D结构实现均匀薄膜覆盖,可实现对高达1500:1长径比微纳深孔内部的均匀沉积。 |
GEMStarXT 产品特点: *300℃ 铝合金热壁,对流式温度控制 *175℃温控150ml前驱体瓶,200℃温控输运支管 *可容纳多片4,6,8英寸样品同时沉积 *可容纳1.25英寸/32mm厚度的基体 *标准CF-40接口 *可安装原位测量或粉末沉积模块等选件 *等离子体辅助ALD插件 *多种配件可供选择 | GEMStarXT 产品型号: GEMStarXT-S: *大8英寸/200 mm基片沉积(4'和6' 可选) *单路前驱体输运支管,4路前驱体瓶接口 *可升为等离子体增强ALD GEMStarXT-D: *大8英寸(200mm)基片沉积(4'和6' 可选) *双路前驱体输运支管,8路前驱体瓶和CF-40接口 *可升为等离子体增强ALD |
GEMStarXT-P: *大8英寸/200mm基片沉积(4'和6 '可选) *双路前驱体输运支管,8路前驱体瓶和CF-40接口 *装备高性能ICP等离子发生器 13.56 MHz 的等离子源非常紧凑,只需风冷,高运行功率达300W。 *标配3组气流质量控制计(MFC)控制的等离子气源线,和一条MFC控制的运载气体线,使难以沉积的氧化物、氮化物、金属也可以实现均匀沉积。 | |
新产品发布: | GEMStarNanoCUBE: *大100 mm 立方体样品 沉积(4'和6' 可选) *单路前驱体输运支管, 2路前驱体瓶接口 *主要用于3D多孔材料,以及厚样品的沉积 |
丰富配件: | ||
多样品托盘: *多样品夹具,样品尺寸(8", 6", 4")向下兼容。 *多基片夹具,多同时容纳9片基片。 | 温控热托盘: *可加热样品托盘,高温度500℃,可实现热盘-热壁复合加热方式。 | |
尾气处理系统: | 臭氧发生器: | |
粉末旋转沉积罐模块: 配合热壁加热方式,进一步实现对微纳粉末样品全保型薄膜均匀沉积包覆。 | ||
手套箱接口: 可从侧面或背面接入手套箱,与从底部接入手套箱不同,不占用手套箱空间。由于主机在手套箱侧面,反应过程中不对手套箱有加热效应,不影响手套箱内温度。 | ||
应用案例
应用领域
国内外用户
已发表文献
1. LoïcAssaudet al. Systematic increase of electrocatalyticturnover over nanoporous Ptsurfaces Prepared by atomic layer deposition. J. Mater. Chem. A (2015) DOI: 10.1039/c5ta00205b
2. XiangyiLuoet al. Pdnanoparticles on ZnO-passivatedporous carbon by atomic layer deposition: an effective electrochemical catalyst for Li-O2 battery. Nanotechnology(2015) 26, 164003. DOI:10.1088/0957-4484/26/16/164003
3. HengweiWang, et al. Precisely-controlled synthesis of Au@Pdcore–shell bimetallic catalyst via atomic layer deposition for selective oxidation of benzyl alcohol. Journal of Catalysis (2015) 324, 59–68. DOI: 10.1016/j.jcat.2015.01.019
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5. FatemehSadat MinayeHashemiet al. A New Resist for Area Selective Atomic and Molecular Layer Deposition on Metal−Dielectric Patterns. J. Phys. Chem. C (2014), 118, 10957−10962. DOI: 10.1021/jp502669f
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