摘要：本实用新型提供基于不等式约束的辅助电容集中式半桥MMC自均压拓扑。半桥MMC自均压拓扑，由半桥MMC模型和自均压辅助回路联合构建。半桥MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个机械开关发生电气联系，机械开关闭合，两者构成基于不等式约束的辅助电容集中式半桥MMC自均压拓扑，机械开关打开，拓扑等效为半桥MMC拓扑。在不强调两种拓扑差异的情况下，自均压辅助回路中的6N个机械开关可以省略，用导线替代，直接构成基于不等式约束的辅助电容集中式半桥MMC自均压拓扑。该半桥MMC自均压拓扑，不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时能相应降低子模块触发频率和电容容值，实现半桥MMC的基频调制。
- 专利类型实用新型
- 申请人华北电力大学;
- 发明人许建中;赵成勇;刘航;
- 地址102206 北京市昌平区回龙观镇北农路2号
- 申请号CN201620068855.2
- 申请时间2016年01月25日
- 申请公布号CN205754042U
- 申请公布时间2016年11月30日
- 分类号H02M7/49(2007.01)I;
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