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    新型硅镱量子面等离子体光源

      摘要:本实用新型提供了一种新型硅镱量子面等离子体光源。本实用新型采用在硅衬底上形成硅镱量子面等离子体光源结构,可以在低频率泵浦光作用下发射较强的高频率光子,其等离子体发光具有低频率激发高频率和球形发光的特征,实现了光泵浦在可见光区的等离子体强发光(外量子效率大于50%)和在1400nm到1600nm光通信波段的发光,其等离子体发光具有低频率激发高频率和球形发光的特征。本实用新型不同于半导体LED和LD光源的发光机理,具有全新的发光物理机理与模型,解决了用低频率泵浦高频率发光的问题,提供了半导体照明的新光源和硅芯片光互联的新光源,可以有很好的新型硅镱等离子体光源应用。
    • 专利类型实用新型
    • 申请人贵州大学;
    • 发明人黄伟其;
    • 地址550025 贵州省贵阳市花溪区贵州大学北校区科学技术处
    • 申请号CN201520630522.X
    • 申请时间2015年08月20日
    • 申请公布号CN205231018U
    • 申请公布时间2016年05月11日
    • 分类号H01J65/04(2006.01)I;H01J9/00(2006.01)I;