摘要：本实用新型公开了一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器，包括M×N个上电极、N个下电极以及M×N个存储单元；每个上电极只与一个功能层相连；功能层位于上电极与所述下电极之间；通过外部的控制信号选择X方向的第i个上电极和Y方向的第j个下电极，使得由第i个上电极、功能层和第j个下电极构成的存储单元工作；沿着上电极的方向定义为X方向，沿着下电极的方向定义为Y方向。本实用新型中的隔离型crossbar阵列结构通过一定程度降低单元阵列集成度，提高了阵列各存储单元的读写精度。在隔离型crossbar阵列结构中，读写操作时，当行选线和列选线确定后，可确保仅有一个存储单元中有操作电流通过，从而避免了传统crossbar结构中因存在缺陷单元而出现存储单元间的混联串扰问题。
- 专利类型实用新型
- 申请人华中科技大学;
- 发明人程晓敏;胡阳芷;黄婷;关夏威;缪向水;
- 地址430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 申请号CN201520510413.4
- 申请时间2015年07月14日
- 申请公布号CN204834059U
- 申请公布时间2015年12月02日
- 分类号G11C16/06(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I;
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