摘要：在GaAs衬底上生长的蓝光LED外延结构，涉及发光二极管技术领域。本实用新型结构从下至上依次包括衬底、缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述衬底为GaAs衬底，所述缓冲层包括ZnO缓冲层和生长在ZnO缓冲层上的金属氮化物缓冲层，所述U型GaN层从下至上依次包括U1型GaN层、布拉格反射层和U2型GaN层。同现有技术相比，本实用新型采用GaAs衬底，具有品质高、易解离且成本相对比较低的特点，而且易做垂直结构、易于p型掺杂，可提高出光效率。
- 专利类型实用新型
- 申请人南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司;
- 发明人田宇;郑建钦;吴真龙;曾颀尧;李鹏飞;
- 地址100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层
- 申请号CN201520546828.7
- 申请时间2015年07月27日
- 申请公布号CN204809249U
- 申请公布时间2015年11月25日
- 分类号H01L33/32(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;
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