摘要:一种用于MOCVD设备的喷淋头,属于气体喷淋装置,解决现有喷淋头存在的原料气体不能均匀混合的问题,同时减少在喷淋头顶部出现沉积堵塞喷口的问题。本实用新型包括底座、下隔板、上隔板、顶盖和中心导管,顶盖和底盖之间被隔成上层气腔、中间气腔和底层腔体;多根上层气管平行穿过上隔板、下隔板和底盖,多根下层气管平行穿过下隔板和底盖,各上层气管和下层气管下端分别装设有长喷嘴和短喷嘴;长喷嘴和短喷嘴在底盖下表面交错均匀排列。本实用新型通过对长、短喷嘴的分配方式,可以提高反应腔内气体均匀性,提高反应速率,抑制反应物在顶部避免沉积造成喷口堵塞的情况,能够提高晶体生长质量,显著提高晶体成品率,降低生产成本。
- 专利类型实用新型
- 申请人华中科技大学;
- 发明人张之;方海生;蒋志敏;郑江;刘胜;甘志银;
- 地址430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 申请号CN201420856066.6
- 申请时间2014年12月29日
- 申请公布号CN204401102U
- 申请公布时间2015年06月17日
- 分类号C23C16/455(2006.01)I;