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    一种基于双SOI压力芯体高温差压传感器结构

      摘要:本实用新型属于差压测量技术,涉及一种双SOI压力芯体高温差压传感器结构。本实用新型差压传感器结构由接管嘴、SOI压力芯体、补偿电路板、外筒和电连接器组成,SOI压力芯体焊接在接管嘴的安装孔内,其中一个SOI压力芯体与负压测量端连通,另一个SOI压力芯体与正压测量端连通,实现正负差压压力测量,补偿电路板焊接在压力芯体的对应引脚上,外筒与接管嘴激光焊接固定,同时电连接器与外筒激光焊接固定,补偿电路板的输出端与电连接器连接,外筒内腔灌封胶,接管嘴的凹槽内采用O型密封圈对正反压力端密封。本实用新型适用于气液等介质差压压力的测量方案,满足传感器小型化的要求,可实现高精度、宽量程的高温差压测量。
    • 专利类型实用新型
    • 申请人武汉中航传感技术有限责任公司;
    • 发明人张博;吴虹;陈双;
    • 地址430074 湖北省武汉市洪山区东湖东路2号
    • 申请号CN201420702254.3
    • 申请时间2014年11月20日
    • 申请公布号CN204269283U
    • 申请公布时间2015年04月15日
    • 分类号G01L13/06(2006.01)I;