摘要：具有高空穴浓度的P-GaN蓝光LED外延结构，涉及发光二极管外延技术领域。本实用新型从下至上依次包括蓝宝石衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述P型GaN层从下至上依次包括交替生长的AlxGa1-xN层和MgN-In层，位于最顶层的MgN-In层上方置有P-AlGaN层。同现有技术相比，本实用新型具有较高的势垒高度，使载流子更容易跃迁到有源区，能够有效提高空穴浓度和迁移率，改善晶体质量，从而提高LED的亮度。
- 专利类型实用新型
- 申请人南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司;
- 发明人田宇;余登永;郑建钦;曾欣尧;童敬文;吴东海;李鹏飞;
- 地址100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层
- 申请号CN201420339620.3
- 申请时间2014年06月25日
- 申请公布号CN204045617U
- 申请公布时间2014年12月24日
- 分类号H01L33/14(2010.01)I;
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