摘要：本实用新型涉及一种免封装型UVLED芯片，包括衬底，在衬底的正面依次设置N-GaN层、发光层、P-GaN层和反射层；其特征是：在所述反射层、P-GaN层和发光层中设置通孔，通孔由反射层延伸至发光层的底部，通孔与N-GaN层连通；在所述通孔中和反射层的表面设置N共晶电极，在反射层表面设置P共晶电极。所述N共晶电极与P共晶电极的上表面平齐。本实用新型所述免封装型UVLED芯片热阻小、散热好，可以采用免封装技术，减少共晶封装的内应力。
- 专利类型实用新型
- 申请人江苏新广联科技股份有限公司;
- 发明人黄慧诗;郭文平;柯志杰;邓群雄;
- 地址214192 江苏省无锡市锡山区锡山经济开发区团结北路18号
- 申请号CN201420070231.5
- 申请时间2014年02月18日
- 申请公布号CN203826419U
- 申请公布时间2014年09月10日
- 分类号H01L33/38(2010.01)I;H01L33/40(2010.01)I;
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