摘要：本实用新型提供一种用于原子层薄膜沉积的反应装置，属太阳能电池制造装配和加工技术领域，包括依次连接的反应沉积腔、反应排空腔和真空系统；所述反应沉积腔内包括硅片承载单元、加热单元、前驱物进料单元、吹扫气体进气单元；本实用新型通过将至少两种气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应，从而形成沉积膜。本实用新型有效弥补了现有反应装置中产能低、气态反应前驱物在硅片表面分布不均、硅片表面存在温度梯度及气态反应前驱物无法排空等缺陷，大幅提升原子层薄膜沉积装置的硅片产能和沉积速率并有效提高原子层薄膜的沉积质量。
- 专利类型实用新型
- 申请人北京七星华创电子股份有限公司;
- 发明人潘龙;刘东;彭文芳;常青;
- 地址100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
- 申请号CN201420141763.3
- 申请时间2014年03月27日
- 申请公布号CN203794984U
- 申请公布时间2014年08月27日
- 分类号C23C16/44(2006.01)I;
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