摘要：一种氮化镓基发光二极管，涉及光电技术领域。本实用新型氮化镓基发光二极管包括衬底以及置于衬底上方依次由N型GaN层、发光层、P型GaN层和透明导电层组成的发光结构。在透明导电层上置有P型电极。其结构特点是，所述衬底底部开设孔直至N型GaN层，在所述孔内设有N型电极置于N型GaN层下底面。同现有技术相比，本实用新型通过在衬底底部开孔安置N型电极，减少发光区刻蚀损伤，增加发光区面积来提升光效。
- 专利类型实用新型
- 申请人南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司;
- 发明人董发;李志翔;吴东海;詹润滋;
- 地址100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层
- 申请号CN201420081947.5
- 申请时间2014年02月26日
- 申请公布号CN203746891U
- 申请公布时间2014年07月30日
- 分类号H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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