摘要：本实用新型涉及大功率变频电源领域，尤其涉及适用于大功率变频电源的一种高功率密度的IGBT逆变功率模组结构。该结构包括模组支架和风机支架，模组支架内安装有IGBT插片散热器和整流桥型材散热器，其中IGBT插片散热器上设有IGBT模块，整流桥型材散热器上设有整流桥模块，风机支架位于模组支架一端的下部，其上装有直流供电高速风机，模组支架背面还设有风道背部环氧板；IGBT模块一侧设有电解电容。本实用新型将功率模组内器件全部固定在功率模组支架上，提高了功率模组的功率密度，降低了功率模组的体积、重量和成本，方便生产加工和维护。
- 专利类型实用新型
- 申请人山东艾诺仪器有限公司;
- 发明人汤承昭;许可;
- 地址250101 山东省济南市高新区出口加工区港兴三路1069号
- 申请号CN201320086839.2
- 申请时间2013年02月26日
- 申请公布号CN203193517U
- 申请公布时间2013年09月11日
- 分类号H02M7/00(2006.01)I;H05K7/20(2006.01)I;
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