摘要：一种能提高光取出效率的发光二极管，涉及光电技术领域。本实用新型包括衬底以及衬底上方依次由N型半导体层、发光层、P型半导体层和透明导电层组成的发光结构。N型半导体层上的一端设置有N型电极，透明导电层上、与N型电极相对的另一端置有P型电极。衬底和N型半导体层的接触面上留有脉冲激光切割形成的烧结面。其结构特点是，所述烧结面的切割线为间断式切割线。本实用新型有效减小了激光切割产生的侧壁烧结面清、降低了清洁，能提高侧壁光取出效率。
- 专利类型实用新型
- 申请人南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司;
- 发明人庄曜玮;
- 地址100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层
- 申请号CN201320103313.0
- 申请时间2013年03月07日
- 申请公布号CN203134851U
- 申请公布时间2013年08月14日
- 分类号H01L33/20(2010.01)I;
教育装备采购网在线客服
京公网安备11010802043465号
