摘要：本实用新型公开了一种发光二极管芯片，属于半导体技术领域。该芯片包括衬底以及依次层叠在衬底上的n型层、多量子阱层和p型层，p型层上设有p型焊盘，p型层上设有盲孔，盲孔从p型层延伸至n型层，盲孔的一端设有n型焊盘且n型焊盘位于p型层上，盲孔内设有将n型焊盘与n型层电连接的导电结构，n型焊盘与p型层之间、导电结构与p型层之间以及导电结构与多量子阱层之间设有绝缘层。本实用新型通过上述技术方案，从而减小了制作n型焊盘时需要刻蚀掉的发光面积，相较于传统的发光二极管芯片，本实用新型的发光二极管芯片相应地增大了发光面积，从而提高了发光二极管芯片的亮度和发光效率。
- 专利类型实用新型
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人皮智华;张建宝;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201220476129.6
- 申请时间2012年09月17日
- 申请公布号CN202839727U
- 申请公布时间2013年03月27日
- 分类号H01L33/38(2010.01)I;
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