摘要：本实用新型公开了一种高压发光二极管芯片，属于半导体照明技术领域。该芯片包括：衬底层、依次层叠在衬底层上的第一半导体层、发光层、第二半导体层和透明导电层，芯片上设有凹槽，凹槽从透明导电层延伸至第一半导体层，凹槽内设有用于将芯片分割成多个子芯片的隔离槽，隔离槽从第一半导体层延伸至衬底层，芯片上还设有第一电极、第二电极和电气连接结构，第一电极设于透明导电层上，第二电极设于凹槽的第一半导体层上，电气连接结构将一个子芯片的透明导电层与另一个子芯片的第一半导体层连接，凹槽的侧壁与第一半导体层的顶面之间的锐角为15～45度，隔离槽的侧壁与衬底层的顶面之间的锐角为40～60度。本实用新型通过上述方案增强了芯片可靠性。
- 专利类型实用新型
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人程素芬;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201220399415.7
- 申请时间2012年08月13日
- 申请公布号CN202736964U
- 申请公布时间2013年02月13日
- 分类号H01L33/20(2010.01)I;H01L25/075(2006.01)I;
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