摘要：本实用新型涉及一种大功率MOSFET驱动器，TTL式的MOSFET驱动信号，光电隔离器U1的输入单元，输入到比较器U2的负端，信号经比较后，再经限流电阻R5，输入到对管驱动器Q1和Q2的基极上，Q1与Q2的射极输出相联，然后经限流保护电阻R6，再驱动大功率MOSFET，大功率MOSFET的输出与驱动电路的地相接，形成驱动电流回路，本实用新型具有驱动能力大，电气完全隔离，可驱动一个或是数十个到百个大功率MOSFET同时并联工作，性能稳定可靠，尤其是在精密大电流闭环场合，更能发挥其控制优势。
- 专利类型实用新型
- 申请人哈尔滨智木科技有限公司;
- 发明人淡博;李金录;
- 地址150076 黑龙江省哈尔滨市道里区康安二道街6号
- 申请号CN201120504305.8
- 申请时间2011年12月07日
- 申请公布号CN202503492U
- 申请公布时间2012年10月24日
- 分类号H03K17/78(2006.01)I;
教育装备采购网在线客服
京公网安备11010802043465号
