摘要：本实用新型涉及一种改善电流传输堵塞的LED芯片结构，其包括衬底及位于衬底上方的P电极与N电极；N电极与衬底上方的N型氮化镓层电连接；所述N型氮化镓层内设有改善传输槽，所述改善传输槽在N型氮化镓层内从N型氮化镓层表面向衬底方向延伸，所述N电极填充于改善传输槽内，并覆盖于N型氮化镓层对应的表面。本实用新型通过位于改善传输槽内的N电极能分担相应的电势线，避免电势线聚集在N电极与N型氮化镓层的结合部，能扩大电势线的接触面积，避免电势线过渡聚集时产生电流堵塞，降低电流堵塞产生的发热现象，同时，能够提高LED芯片的出光效率；结构简单紧凑，与现有加工工艺相兼容，延长了LED芯片使用寿命，安全可靠。
- 专利类型实用新型
- 申请人江苏新广联科技股份有限公司;
- 发明人邓群雄;郭文平;柯志杰;黄慧诗;
- 地址214111 江苏省无锡市锡山经济开发区团结北路18号
- 申请号CN201120479097.0
- 申请时间2011年11月28日
- 申请公布号CN202405304U
- 申请公布时间2012年08月29日
- 分类号H01L33/14(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I;
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