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    采用模组方式的全模式硅高频头

      摘要:本实用新型涉及一种高频头,具体的说是涉及采用模组方式的全模式硅高频头。该高频头,包括高频滤波器、高频放大器、混频器和中频放大器,其特征在于,还包括低噪声放大器、无线滤波器和中频滤波器,所述低噪声放大器与高频滤波器连接,所述高频滤波器与高频放大器连接,所述高频放大器与无线滤波器连接,所述无线滤波器与混频器连接,所述混频器与中频滤波器连接,所述中频滤波器与中频放大器连接。本实用新型通过采用低噪声放大器、无线滤波器和中频滤波器,能有效提高抗干扰能力和信号接收能力,并将各模块集成在一块硅芯片上,用屏蔽盒屏蔽形成一个模组,因此具备体积小、成本低等优点。本实用新型尤其适用于电视机、机顶盒用高频头。
    • 专利类型实用新型
    • 申请人四川长虹电器股份有限公司;
    • 发明人万冬;
    • 地址621000 四川省绵阳市高新区绵兴东路35号
    • 申请号CN201120484084.2
    • 申请时间2011年11月29日
    • 申请公布号CN202353687U
    • 申请公布时间2012年07月25日
    • 分类号H04N5/50(2006.01)I;