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金属薄膜电容

　　摘要：本实用新型公开了一种金属薄膜电容，包括绝缘基板，在绝缘基板的顶部设有带引出端的金属薄膜电极，在引出端接口外的金属薄膜电极表面上设有介质薄膜，在介质薄膜的顶部设有带引出端的金属薄膜电极。本实用新型通过掩膜工艺沉积出两层厚度较小的金属膜作为上下电极，极大地减少了金属用量，降低了生产成本，制作工艺简单。介质薄膜的厚度小，机械强度高，具有较高的稳定性，可适应多种复杂环境。本实用新型的可以通过产业化的生产来进行植被，具有重要的现实意义，而且制作的成本较为低廉，而且所得到的产品具有较好的物理性能及化学稳定性，使用寿命长，制作成本较低，具有广泛的应用价值。

专利类型实用新型
申请人贵州大学;
发明人邓朝勇;马亚林;石健;崔瑞瑞;
地址550003 贵州省贵阳市蔡家关贵州大学科技处
申请号CN201120283891.8
申请时间2011年08月05日
申请公布号CN202332579U
申请公布时间2012年07月11日
分类号H01G4/005(2006.01)I;H01G4/228(2006.01)I;H01G4/10(2006.01)I;H01G4/008(2006.01)I;H01G4/33(2006.01)I;