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    清洁晶片装置

      摘要:本实用新型涉及半导体集成电路器件清洁工艺技术领域,特别涉及一种清洁晶片装置。该清洁装置包括压电晶体振子、用于安装压电晶体振子的腔室,以及与压电晶体振子固定连接的换能器,换能器表面具有若干个凸起的柱体,柱体间具有若干个微孔,微孔贯通至换能器的底部。通过本实用新型提供的具有贯通微孔的换能器,利用兆声波物理传输原理产生与晶片特征尺寸侧壁平行的作用力,对特征尺寸不会产生弯矩的效应,最大程度的减小和消除对晶片特征尺寸结构的破坏,从而提高了对残留物的化学清除效率。
    • 专利类型实用新型
    • 申请人北京七星华创电子股份有限公司;
    • 发明人王锐廷;吴仪;
    • 地址100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M2号楼2层
    • 申请号CN201020597114.6
    • 申请时间2010年11月05日
    • 申请公布号CN201862594U
    • 申请公布时间2011年06月15日
    • 分类号B08B3/12(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;