摘要：本实用新型涉及一种γ辐射的探测装置，具体为一种用于γ辐射探测的嵌套结构电离室。其结构包括置于屏蔽壳内的高压极和收集极，收集极上方设有收集连杆，收集连杆外套有绝缘子，其中，高压极的主体包围在收集极外部，高压极中间凸起部位置于收集极内，收集极的中部凸起置于高压极的中间凸起内，使高压极和收集极形成相互嵌套的结构。这种嵌套的结构使得电离室在测量范围的低端有足够大的输出电流，在测量范围的高端可以保证电离室的饱和度。
- 专利类型实用新型
- 申请人中国辐射防护研究院;
- 发明人靳根;钱仲敏;陈明焌;任智强;任伟;
- 地址030006山西省太原市学府街102号
- 申请号CN200720195495.3
- 申请时间2007年11月05日
- 申请公布号CN201117620Y
- 申请公布时间2008年09月17日
- 分类号H01J47/02(2006.01);G01T1/00(2006.01);
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