摘要：本实用新型公开了一种低阻单晶寿命测试仪，该测试仪包括样品测试台、主机和示波器，样品测试台设置于主机的上面，主机与示波器连接，样品测试台底座上设有光源电极台和测试台支柱，测试台支柱底部设置有防滑套，测试台支柱上部设置有样品台悬臂，测试台支柱与样品台悬臂通过锁紧螺栓锁定，样品台悬臂与样品台连接，样品台悬臂侧部依次设有阻力调节旋钮、粗调手轮和微调手轮，样品台中间设有样品测量口，光源电极台中设有两弹性电极，中间为红外发光管出光口。本实用新型是一种可以测量电阻率低至0.03Ω·cm的锗单晶少子寿命的专用测试仪，同样可以用来测量低阻硅单晶少子寿命，本实用新型将少子寿命测量延伸到低阻10－2Ω·cm。
- 专利类型实用新型
- 申请人广州市昆德科技有限公司;
- 发明人王昕;王世进;张郁华;
- 地址510640广东省广州市天河区五山华南理工大学国家大学科技园(北区)2号楼204室
- 申请号CN200720059959.8
- 申请时间2007年11月23日
- 申请公布号CN201110882Y
- 申请公布时间2008年09月03日
- 分类号G01R31/265(2006.01);
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