摘要：一种GaN基光电子器件，用MOVPE技术在衬底上生长外延层，外延层包括按序生长的缓冲层，N－型AlaInbGacN层，量子阱组成有源层，P－型AlGaN限制层，P－型GaN层。其缓冲层为复合型缓冲层，包括InxGal－xN层和/或AlyGal－yN层(可Si掺杂)。复合型缓冲层的生长温度为400～800℃；N－型GaN的生长温度为800～1300℃。复合型缓冲层可使N－型GaN层生长较厚，不仅达到降低缺陷密度和防止龟裂，而且优化发光二极管的性能。通过对复合型缓冲层的生长次序、组份和厚度的调整，可分别实现厚的和高质量的N－型GaN，N－型AlGaN，N－型InGaN，和N－型AlInGaN的生长，从而可以极大地提高各种不同波长(如紫外光、兰光和绿光)发光二极管制作的灵活性。
- 专利类型发明专利
- 申请人大连路明科技集团有限公司;
- 发明人阎春辉;肖志国;
- 地址116025辽宁省大连市高新园区七贤岭高能街1号
- 申请号CN200610005280.0
- 申请时间2006年01月06日
- 申请公布号CN1996625A
- 申请公布时间2007年07月11日
- 分类号H01L33/00(2006.01);
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