• 首页
  • 装备资讯
  • 热点专题
  • 人物访谈
  • 政府采购
  • 产品库
  • 求购库
  • 企业库
  • 品牌排行
  • 院校库
  • 案例·技术
  • 会展信息
  • 教育装备采购网首页 > 知识产权 > 专利 > CN1980791B

    苝n-型半导体和相关器件

      摘要:用吸电子基团进行N-取代和母核取代的单-和二酰亚胺苝和萘化合物,用于制造多种器件结构。
    • 专利类型PCT发明
    • 申请人西北大学;
    • 发明人T·J·马克斯;M·R·瓦谢莱夫斯基;A·法切蒂;M·J·阿伦斯;B·A·琼斯;尹明汉;
    • 地址美国伊利诺伊州
    • 申请号CN200580003181.2
    • 申请时间2005年01月26日
    • 申请公布号CN1980791B
    • 申请公布时间2012年08月22日
    • 分类号B32B9/00(2006.01)I;H01J1/62(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01B1/00(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I;B05D5/06(2006.01)I;