摘要：本发明公开了一种低温烧结高热导率的氮化铝陶瓷，包括氮化铝、氧化钇和氟化镧，氮化铝的质量百分比为95％～97％，氧化钇的质量百分比为2％，氟化镧的质量百分比为1％～3％。还公开了制备氮化铝陶瓷的方法，包括将氮化铝粉体、氧化钇和氟化镧混合，经湿法球磨、干燥、造粒、压制并烧结，制得氮化铝陶瓷。本发明所提供的氮化铝陶瓷烧结温度低至1700℃～1800℃，其热导率可达到160～200W/(m·K)，介电常数为9～10，介电损耗为0.8×10?3～1.3×10?3，可以满足半导体器件和集成电路等产业的应用要求。
- 专利类型发明专利
- 申请人华中科技大学;
- 发明人吕文中;丁利文;范桂芬;姜海;史玉升;李晨辉;
- 地址430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 申请号CN201610906824.4
- 申请时间2016年10月18日
- 申请公布号CN106542828A
- 申请公布时间2017年03月29日
- 分类号C04B35/581(2006.01)I;C04B35/63(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
