摘要：本发明公开了一种表面减反自清洁结构的制备方法，所述减反自清洁表面结构制备方法包括表面电子束刻蚀和渗入侵蚀；所述表面电子束刻蚀是通过电子束轰击铈玻璃表面，在铈玻璃表面进行纳米级网格划分，每个网格为一个方形柱状凸体，径向尺寸在50?100nm；所述渗入侵蚀是通过配置侵蚀液，对电子束刻蚀后的方形柱状凸体的根部进行进一步腐蚀，生成T型纳米凸体结构；所述侵蚀液主要包括氢氟酸、双氧水、水。本发明的表面减反自清洁结构具有纳米T型空间结构，入射光在纳米T型结构中多次折射后增加了透过光的比例，实现增透；表面的纳米空隙结构，具有疏水特性、可实现自清洁功能。
- 专利类型发明专利
- 申请人华北电力大学;
- 发明人王简;梁光胜;唐悦;燕富超;闫永恒;
- 地址102206 北京市昌平区北农路2号
- 申请号CN201610840117.X
- 申请时间2016年09月21日
- 申请公布号CN106495497A
- 申请公布时间2017年03月15日
- 分类号C03C15/00(2006.01)I;C03C23/00(2006.01)I;
教育装备采购网在线客服
京公网安备11010802043465号
