摘要：一种高空穴注入效率的LED外延结构，涉及发光二极管外延技术领域。本发明从下至上依次包括衬底、GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱、电子阻挡层、P型GaN层和P型接触层。其中多量子阱由InGaN层和GaN层构成。其结构特点是，所述电子阻挡层从下至上依次由p型AlxGa1?xN层、AlN层和p型InyGa1?yN层构成，其中0<x≤0.3、0<y≤0.2。所述电子阻挡层包括8?12个生长周期，生长压力为100?200Torr，在氮气环境中生长。本发明采用由p型AlxGa1?xN层、AlN层和p型InyGa1?yN超晶格层构成电子阻挡层，通过应变和减小合金散射来提高空穴浓度和迁移率，提升发光二级管的发光效率。
- 专利类型发明专利
- 申请人南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司;
- 发明人郑建钦;田宇;吴真龙;曾颀尧;赖志豪;林政志;
- 地址226015 江苏省南通市经济技术开发区东方大道499号
- 申请号CN201510537614.8
- 申请时间2015年08月28日
- 申请公布号CN106486573A
- 申请公布时间2017年03月08日
- 分类号H01L33/14(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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