摘要：本发明公开了一种闪存错误模式的测试方法,随着闪存存储容量的提升，存储单元受到强烈的噪声干扰，导致比特错误数量超过了当前纠错码的纠错能力，使得当前的纠错码不能满足保证数据可靠性的需求，为了针对闪存的错误特征设计有效的纠错码，需要对闪存的错误模式有一个清晰的理解，因此，本发明涉及一种闪存错误模式的测试方法，该方法包括两个阶段，数据写入和检验。在测试过程中，我们设计了两个关键的数据结构：地址列表用于存储数据写入闪存时的地址和错误信息列表用于存储页对应的比特错误信息,在数据检验阶段,通过特殊的操作绕过控制器中的纠错过程获取存储在闪存中的原始数据,通过该测试方法能够对闪存各种错误模式进行研究和分析。
- 专利类型发明专利
- 申请人华中科技大学;
- 发明人吴非;谢长生;张猛;夏倩;马瑞祥;
- 地址430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 申请号CN201610846506.3
- 申请时间2016年09月20日
- 申请公布号CN106445725A
- 申请公布时间2017年02月22日
- 分类号G06F11/10(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
