白光高迁移率半导体材料2?芴蒽衍生物的化合物、制备方法与应用

　　摘要：本发明涉及白光高迁移率材料2?芴蒽衍生物的化合物、制备方法及作为p?型有机半导体材料和发光材料在有机光电器件的应用。2?芴蒽衍生物的化合物结构如下所示：式中R₁?R₉可以相同或者不相同，独立选自氢、氘或者C1?C20的长烷基链，X为C、S或O，R₁₀?R₁₁可以相同或者不相同，独立选自氢、氘、C1?C20的长烷基链、双键氧，或者R₁₀、R₁₁与芴共同连接成9，9’?螺二芴。该材料具有有较好的热稳定性和空气稳定性，且该材料可一锅法制造，适用于工业化生产；本材料发光性强，且在OLED中可发射近纯白光，同时具有优异的电荷传输性质，可应用于有机白光发光晶体管器件中，用于实现自驱动的OLED照明或显示。

专利类型发明专利
申请人南京工业大学;
发明人孟鸿;陈梦芸;赵阳;闫丽佳;黄维;
地址211800 江苏省南京市浦口区浦珠南路30号
申请号CN201610828308.4
申请时间2016年09月12日
申请公布号CN106431806A
申请公布时间2017年02月22日
分类号C07C1/32(2006.01)I;C07C13/573(2006.01)I;C07C13/72(2006.01)I;C07D307/91(2006.01)I;C07D333/76(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;