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    多孔g?C3N4棒的制备方法

      摘要:本发明涉及半导体材料领域,旨在提供一种多孔g?C3N4棒的制备方法。包括:将单氰胺烧结冷却后,将产物研磨得到g?C3N4颗粒;分散于去离子水中搅拌,加氨水调节pH值后继续搅拌,混合溶液移至反应釜中进行水热反应;得沉淀离心洗涤、干燥,获得g?C3N4棒;再分散于溶剂中超声处理,滴加H2SO4水溶液后持续搅拌;在密闭条件下进行水浴搅拌处理后,再移至反应釜中进行水热反应;沉淀洗涤、烘干,得到多孔g?C3N4棒。本发明通过采用一种简单的无模板法制备得到多孔结构的棒状g?C3N4,避免了传统模板法繁琐、不环保的制备工艺。解决了块状g?C3N4比表面积小、表面活性位点少、量子效率低的缺陷,提高其光催化性能。
    • 专利类型发明专利
    • 申请人浙江大学;
    • 发明人杨辉;尤增宇;申乾宏;王辉;秦天;
    • 地址310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
    • 申请号CN201610854427.7
    • 申请时间2016年09月27日
    • 申请公布号CN106430125A
    • 申请公布时间2017年02月22日
    • 分类号C01B21/06(2006.01)I;B01J27/24(2006.01)I;