聚二甲基硅氧烷微流控芯片高纵横比结构制造方法

　　摘要：本发明公开了一种聚二甲基硅氧烷微流控芯片高纵横比结构制造方法，用于解决现有微流控芯片制造方法制造的微流控芯片中微型柱状结构纵横比小的技术问题。技术方案是利用反相模板制造光刻胶SU8模具，然后在此基础上使用PDMS试剂浇铸PDMS芯片。得到的PDMS芯片继续作为模具使用。与此同时配备表面活性剂Brij@52试剂，按照1:1:8比例配备并溶解后涂覆到PDMS芯片表面，并在这个PDMS芯片表面上浇铸PDMS试剂，经过固化后剥离，最后得到PDMS芯片。本发明采用二步法完成PDMS芯片制造，不需要额外增加其他设备，整个制造过程成本低，步骤简单，最终实现纵横比达到25的微米级柱状结构。

专利类型发明专利
申请人西北工业大学;
发明人王少熙;
地址710072 陕西省西安市友谊西路127号
申请号CN201610900050.4
申请时间2016年10月17日
申请公布号CN106393526A
申请公布时间2017年02月15日
分类号B29C39/02(2006.01)I;B29C39/22(2006.01)I;B29C33/60(2006.01)I;B29C33/38(2006.01)I;B01L3/00(2006.01)I;B29K83/00(2006.01)N;