g?C₃N₄纳米球的制备方法

　　摘要：本发明涉及半导体材料领域，旨在提供一种g?C₃N₄纳米球的制备方法。包括：富氮前驱体经热处理后，将产物研磨至粉状颗粒，获得g?C₃N₄颗粒；再分散于酸液中，超声处理后置于黑暗环境中静置；淡黄色沉淀物过滤后洗涤、干燥，研磨至粉状颗粒，获得疏松的g?C₃N₄颗粒；将其加浓氨水中超声分散得到分散体系，再转移至水热反应釜进行水热反应；水热反应后进行冷冻干燥，最终获得g?C₃N₄纳米球。本发明解决了g?C₃N₄和其它材料不易复合的问题，制得产品分散性很好，可配成分散液后与其他半导体材料进行复合；制备的g?C₃N₄纳米球具有大比表面积和高量子效率，增加了表面活性位点，降低了g?C₃N₄光生电子和空穴的复合机率，提高了光催化反应效率。

专利类型发明专利
申请人浙江大学;
发明人申乾宏;王辉;杨辉;尤增宇;秦天;
地址310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
申请号CN201610856731.5
申请时间2016年09月27日
申请公布号CN106379874A
申请公布时间2017年02月08日
分类号C01B21/06(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B01J27/24(2006.01)I;B01J35/08(2006.01)I;