摘要：一种高抗静电能力的LED外延结构，涉及发光二极管外延技术领域。本发明LED外延结构从下至上依次包括蓝宝石衬底、Buffer缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述U型GaN层中掺杂Si元素，Si元素的掺杂浓度为1x1017cm3?8x1017cm3。同现有技术相比，本发明能够提高芯片的抗静电能力，有效提高LED的亮度。
- 专利类型发明专利
- 申请人南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司;
- 发明人钱凯;杜小青;曹强;徐晶;吴梅梅;
- 地址226015 江苏省南通市经济技术开发区东方大道499号
- 申请号CN201510249763.4
- 申请时间2015年05月18日
- 申请公布号CN106299067A
- 申请公布时间2017年01月04日
- 分类号H01L33/32(2010.01)I;
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