摘要：一种可提高内量子效率带电子阻挡层的LED外延结构，涉及发光二极管外延技术领域。本发明从下至上依次包括图形化衬底、GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层、P型GaN层和P型接触层。其结构特点是，所述电子阻挡层从下至上依次包括前电子阻挡层、SiN/GaN?SLs型n?GaN层和后电子阻挡层。所述SiN/GaN?SLs型n?GaN层从下至上依次包括交替生长的SiN层和GaN层。本发明是在电子阻挡层p?AlGaN中插入SiN/GaN?SLs型n?GaN层，不但能通过空穴浓度的提高和注入效率的提升来提高内量子效率，还能通过对缺陷的阻挡来提高抗静电能力。
- 专利类型发明专利
- 申请人南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司;
- 发明人郑建钦;田宇;曾颀尧;林政志;赖志豪;李鹏飞;
- 地址226015 江苏省南通市经济技术开发区东方大道499号
- 申请号CN201510258427.6
- 申请时间2015年05月20日
- 申请公布号CN106299059A
- 申请公布时间2017年01月04日
- 分类号H01L33/14(2010.01)I;H01L33/30(2010.01)I;
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