摘要：本发明提出了处理银纳米线的方法。该方法包括：在存在保护剂的条件下，使含有所述银纳米线的溶液与卤化银溶解剂接触，以便去除卤化银。由此，可以便捷有效地除去银纳米线产品中的杂质颗粒，从而可以提高银纳米线的电学、力学以及光学性能。
- 专利类型发明专利
- 申请人深圳市华科创智技术有限公司;
- 发明人曾西平;邱志光;温维佳;
- 地址518057 广东省深圳市南山科技园南区粤兴一道9号香港科技大学产学研大楼412
- 申请号CN201610562026.4
- 申请时间2016年07月18日
- 申请公布号CN106238718A
- 申请公布时间2016年12月21日
- 分类号B22F1/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;
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京公网安备11010802043465号
