摘要：本发明提供了一种晶体管，该晶体管包括Si衬底、沟道层、源极和漏极、覆盖于沟道层上面的绝缘层、以及位于绝缘层上的栅极；其中沟道层为具有半导体导电特性的单原子层SnO,源漏极为具有金属导电特性的双原子层SnO。本发明还提供了一种通过计算和模拟构建晶体管的模型的方法。本发明提供的该晶体管由于沟道层和源漏极采用单一二维材料SnO，改善了沟道层与源漏极侧壁的欧姆接触，大大降低了两者的接触电阻，提高了晶体管的散热性；通过模拟测试，证明晶体管具有高的电子迁移率。
- 专利类型发明专利
- 申请人浙江大学;
- 发明人陆赟豪;吴琛;兰珍云;肖承诚;徐晓颖;
- 地址310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
- 申请号CN201610632361.7
- 申请时间2016年08月04日
- 申请公布号CN106206736A
- 申请公布时间2016年12月07日
- 分类号H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
