摘要：本发明属于无机非金属粉体的制备方法领域，并公开了一种基于碳化铝制备氮化铝粉体的方法及其产品，包括：(a)将适量微米铝粉和微米碳粉均匀混合，置于惰性气氛中加热至预定温度，保温一段时间，使之反应生成碳化铝；(b)将碳化铝在流动的氨气或氮气中加热至预定温度并保温一段时间，在高温环境下碳化铝与氨气或氮气反应，生成氮化铝。通过本发明，可以在相对较低的温度下制备出氮化铝粉体，所制备出的粉体纯度高、粒径小且粒度分布均匀，导热率高并且具有优良的热学性能和机械性能，可在集成电路的基片材料等领域大规模应用。
- 专利类型发明专利
- 申请人华中科技大学;
- 发明人胡木林;方智威;谢长生;李晨辉;
- 地址430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 申请号CN201610571632.2
- 申请时间2016年07月19日
- 申请公布号CN106187203A
- 申请公布时间2016年12月07日
- 分类号C04B35/581(2006.01)I;C04B35/626(2006.01)I;C04B35/65(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
