摘要：本发明提供了一种用电子束作用在硅材料上制备纳米硅结构的方法及装置。本发明在非晶硅薄膜上用电子束辐照进行晶化，以生长纳米硅结构，这样的方式具有纳米硅生长速度快、纳米形貌尺寸可控与尺度分布范围较窄等优点。可用于制备发光量子点材料，发光效果很好。本发明方法简单，易于实施，成本低廉，使用效果好。
- 专利类型发明专利
- 申请人贵州大学;
- 发明人黄伟其;
- 地址550025 贵州省贵阳市花溪区贵州大学北校区科学技术处
- 申请号CN201610484538.3
- 申请时间2016年06月28日
- 申请公布号CN106098534A
- 申请公布时间2016年11月09日
- 分类号H01L21/02(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;
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京公网安备11010802043465号
