摘要：本发明涉及一种介孔SiO2薄膜的制备方法，包括如下的步骤：1)将正硅酸四乙酯溶于乙醇，滴加稀盐酸，混合搅拌；所述的正硅酸四乙酯与稀盐酸的摩尔比为1:1×10?5～8×10?5；2)向步骤1)得到的混合液中继续滴加稀盐酸，搅拌陈化，得到溶液A；所述的继续滴加的稀盐酸与正硅酸四乙酯的摩尔比为0.02～0.06:1；3)十六烷基三甲基溴化铵溶于乙醇，得到溶液B；4)将溶液B加入到溶液A中，搅拌并陈化0.5～2小时，得到产品；5)采用旋涂法在基板上镀膜，然后热处理，获得介孔SiO2薄膜；本发明还涉及介孔SiO2薄膜及其应用。本发明简化了介孔SiO2薄膜的合成方法，在常温下制备溶胶并进行镀膜，经过热处理后得到具有增透效果的孔道有序排列的介孔膜。
- 专利类型发明专利
- 申请人浙江大学;
- 发明人赵高凌;张馨文;占丰;詹凌曈;孟伟杰;韩高荣;
- 地址310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
- 申请号CN201610368262.2
- 申请时间2016年05月27日
- 申请公布号CN106045330A
- 申请公布时间2016年10月26日
- 分类号C03C17/23(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
