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    高可靠低读电压一次性编程存储器

      摘要:高可靠低读电压一次性编程存储器,涉及集成电路技术,本发明包括第一MOS管、第二MOS管、反熔丝元件;第一MOS管的栅端接第二连接线WS,其第一连接端通过反熔丝元件连接第一连接线WP,第二连接端接第三连接线BL;第二MOS管的第一连接端接第四连接线BR,第二连接端接第三连接线BL;还包括一个限压器件,其具有一个控制端和两个连接端,其控制端连接一条控制信号线WB,其一个连接端连接反熔丝器件和第一MOS管的连接点,另一个连接端连接第二MOS管的栅端。本发明解决了现有技术的高压冲击所引起的关键路径的器件损坏、退化而难题,避免了可能导致的漏电隐患(高压对第二MOS管栅端的冲击),提高了器件的可靠性。
    • 专利类型发明专利
    • 申请人四川凯路威电子有限公司;
    • 发明人廖旭阳;毛军华;彭泽忠;
    • 地址621000 四川省绵阳市高新区绵兴东路128号
    • 申请号CN201610316964.6
    • 申请时间2016年05月13日
    • 申请公布号CN106024064A
    • 申请公布时间2016年10月12日
    • 分类号G11C17/16(2006.01)I;G11C17/18(2006.01)I;