摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层，所述多量子阱层包括交替层叠的InGaN量子阱层和GaN量子垒层，所述发光二极管外延片还包括层叠在所述P型GaN层上的N型接触层，所述N型接触层为掺杂Si的GaN层。本发明通过在P型GaN层上层叠N型接触层，N型接触层为掺杂Si的GaN层，降低电阻而增大导电率，有利于设置在N型接触层上的P型电极注入电流的横向扩展，特别适用于背光上。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人孙玉芹;董彬忠;王江波;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201610302023.7
- 申请时间2016年05月09日
- 申请公布号CN105977355A
- 申请公布时间2016年09月28日
- 分类号H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;
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京公网安备11010802043465号
