摘要：本发明公开了<311>直拉硅片的一种热处理方法。所述热处理方法包括以下步骤：(1)在氧气气氛下，将直拉硅片在1200～1250℃下热处理5～10分钟；(2)在保护性气体气氛下，将经步骤(1)处理的直拉硅片以50～60℃/秒的升温速度加热到1200～1250℃并保持60秒，然后以50～80℃/秒的冷却速度冷却到600℃，再自然冷却；(3)在保护性气体气氛下，将经步骤(2)处理的直拉硅片在800℃下热处理4小时；(4)在保护性气体气氛下，将经步骤(3)处理的直拉硅片在1000℃下热处理8小时。本发明方法能有效消除COP，降低<311>硅片近表面的缺陷数，降低表面平均微粗糙度。
- 专利类型发明专利
- 申请人浙江大学;
- 发明人马向阳;蒋立伟;杨德仁;
- 地址310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
- 申请号CN201610304862.2
- 申请时间2016年05月09日
- 申请公布号CN105977152A
- 申请公布时间2016年09月28日
- 分类号H01L21/324(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
