双多肽修饰铕掺杂氧化钆纳米棒及其制备

　　摘要：本发明涉及一种用于体内靶向增强磁共振?荧光双模式成像和抑制早期脑胶质瘤生长的双多肽修饰铕掺杂氧化钆纳米棒的制备方法。将硝酸钆和硝酸铕溶解并与强碱反应并经加热生长得到铕掺杂氢氧化钆纳米棒；再高温烧结得到铕掺杂氧化钆纳米棒；然后经过表面羟基化、氨基化、聚乙二醇化后，再经过巯基化技术连接上RGD多肽和蝎氯毒素(CTX)多肽。本发明工艺简单、条件可控、易于操作，其纳米棒产物不仅尺寸小（棒长约80纳米，直径约25纳米），长径比低，经RGD和CTX两种多肽修饰后的纳米棒不仅能穿越脑瘤的血脑及血瘤双重屏障，而且还具有良好的核磁T₁模式弛豫效率、荧光特性、早期胶质瘤靶向及抑制特性，可用于早期脑胶质瘤的临床诊疗。

专利类型发明专利
申请人四川大学;
发明人黄忠兵;吴治;尹光福;蒲曦鸣;廖晓明;
地址610065 四川省成都市武侯区一环路南一段24号
申请号CN201610476470.4
申请时间2016年06月27日
申请公布号CN105963715A
申请公布时间2016年09月28日
分类号A61K49/00(2006.01)I;A61K49/18(2006.01)I;A61K49/14(2006.01)I;A61P35/00(2006.01)I;