摘要：本发明公开了一种基于表面等离激元的波长选择Si基光电导中远红外阻挡杂质带探测器及其制备方法，从下至上依次为高纯硅基底、高纯硅基底上低电阻率的掩埋底电极、高掺杂吸收层、杂质带阻挡层，在阻挡层上方沉积的钝化层，阻挡层上设有上电极互连区和上电极，上电极是由铝薄膜形成的正方形周期圆孔阵列，铝薄膜形成正方形周期圆孔阵列是探测器的表面等离激元结构，实现波长选择功能。上电极使用金属铝，铝的制备工艺简便成熟，价格便宜易于获得，抗锈蚀能力强，同时与器件的兼容性能好；采用剥离工艺制备金属铝正方形周期圆孔阵列，相比于腐蚀技术，可控性及实际效果更好。
- 专利类型发明专利
- 申请人浙江大学;
- 发明人吴惠桢;朱贺;许金涛;
- 地址310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
- 申请号CN201610436379.X
- 申请时间2016年06月17日
- 申请公布号CN105957917A
- 申请公布时间2016年09月21日
- 分类号H01L31/101(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
