摘要：本发明公开了一种共蒸设备，其具有一共蒸腔体，共蒸腔体包括腔体底部、和腔体底部对应的腔体顶部、连接腔体底部和腔体顶部的腔体侧壁；腔体顶部设置旋转装置，以带动待镀膜基片旋转；腔体底部设置蒸发电极，以加热蒸发镀膜材料在待镀膜基片上形成镀膜；腔体侧壁设置晶控探头和晶控挡板。晶控挡板阻挡在晶控探头和蒸发电极之间，晶控挡板设置有多个通孔；在蒸发电极加热蒸发镀膜材料对待镀膜基片进行镀膜的同时，使镀膜材料以气相状态穿过通孔沉积在晶控探头上形成镀膜，进而避免晶控探头镀膜过厚而降低灵敏度，能够保证晶控探头测量镀膜厚度的准确性，进而保证其确定待镀膜基片的镀膜厚度的准确性。
- 专利类型发明专利
- 申请人成都西沃克真空科技有限公司;
- 发明人杨小军;向勇;傅绍英;
- 地址610200 四川省成都市双流县蛟龙工业港（双流园区）东海路六段680号
- 申请号CN201610283858.2
- 申请时间2016年04月29日
- 申请公布号CN105908133A
- 申请公布时间2016年08月31日
- 分类号C23C14/26(2006.01)I;C23C14/50(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
