摘要：本发明公开了一种小能带隙III?V族MOSFET器件的非对称型源漏极结构，属于半导体器件技术领域。本发明通过在源极、漏极引入不同高掺杂漏极、漏极材料结构，并在漏极引入场板、隔离层侧墙结构，在保证源极有足量载流子输入的情况下，在漏极减小最高电场强度，使器件的离子化效应以及隧道击穿效应产生阈值提高，从而减小漏电流。同时，通过隔离层侧墙，漏极寄生电容得以减小，器件的频率特性从而得以提高。本发明能够提高III?V?MOSFET器件截止电压，减小离子化效应及隧道击穿效应，从而降低器件静态漏电流及相应静态功耗；同时通过减小寄生电容提高器件频率特性。
- 专利类型发明专利
- 申请人浙江大学;
- 发明人莫炯炯;陈华;王志宇;尚永衡;王立平;郁发新;
- 地址310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
- 申请号CN201610337865.6
- 申请时间2016年05月22日
- 申请公布号CN105826392A
- 申请公布时间2016年08月03日
- 分类号H01L29/78(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
